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Transistor  ⊃   N-CH  ⊃  Leistungs MOSFET
Transistor
CHF 0.90Preiseinheit per Stk
Mengenrabatt:ab 10 Stk. Fr. 0.72
Artikel ID
145
Lagerbestand
Mehr als 50 Stk.
Hersteller
JSMicro Semiconductor
Wert
FQP50N06

Bauform
TO220-3
Datenblatt
JSMFQP50N06.pdf
BeschreibungMosfet FQP50N06

Ausführung: 1x N-Channel
Überschlagsspannung Drain-Source: 60 V
Überschlagsspannung Gate-Source: +/- 25 V
Drain-Gleichstrom: 50 A
Date Threshold Voltage Vgs(th): 2 - 4 Volt
Drain-Source-Widerstand RDS(on): max. 0.022 Ohms
 
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